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參數(shù)資料
| 型號： | M58WR128EBZB |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb × 16，多銀行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 36/87頁 |
| 文件大?。?/td> | 1113K |
| 代理商： | M58WR128EBZB |
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Table 19. DC Characteristics - Voltages
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.4
VDDQ + 0.4
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A
VDDQ –0.1
V
VPP1
VPP Program Voltage-Logic
Program, Erase
1
1.8
1.95
V
VPPH
VPP Program Voltage Factory
Program, Erase
11.4
12
12.6
V
VPPLK
Program or Erase Lockout
0.9
V
VLKO
VDD Lock Voltage
1V
VRPH
RP pin Extended High Voltage
3.3
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5913 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5913B1 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5F78M05 | 5 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F78M06 | 6 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F78M08 | 8 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58WR128ET | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128ET10ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128ET70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128ET80ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128ETZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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