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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58WR128EBZB |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb × 16，多銀行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 77/87頁(yè) |
| 文件大小： | 1113K |
| 代理商： | M58WR128EBZB |
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Enhanced Factory Program Pseudo Code
efp_command(addressFlow,dataFlow,n)
/* n is the number of data to be programmed */
{
/* setup phase */
writeToFlash(addressFlow[0],0x30);
writeToFlash(addressFlow[0],0xD0);
status_register=readFlash(any_address);
if (status_register.b7==1){
/*EFP aborted for an error*/
if (status_register.b4==1) /*program error*/
error_handler();
if (status_register.b3==1) /*VPP invalid error*/
error_handler();
if (status_register.b1==1) /*program to protect block error*/
error_handler();
}
else{
/*Program Phase*/
do{
status_register=readFlash(any_address);
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.b0==1)
/*Ready for first data*/
for (i=0; i++; i< n){
writeToFlash(addressFlow[i],dataFlow[i]);
/* status register polling*/
do{
status_register=readFlash(any_address);
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.b0==1);
/* Ready for a new data */
}
writeToFlash(another_block_address,FFFFh);
/* Verify Phase */
for (i=0; i++; i< n){
writeToFlash(addressFlow[i],dataFlow[i]);
/* status register polling*/
do{
status_register=readFlash(any_address);
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.b0==1);
/* Ready for a new data */
}
writeToFlash(another_block_address,FFFFh);
/* exit program phase */
/* Exit Phase */
/* status register polling */
do{
status_register=readFlash(any_address);
/* E or G must be toggled */
} while (status_register.b7==0);
if (status_register.b4==1) /*program failure error*/
error_handler();
if (status_register.b3==1) /*VPP invalid error*/
error_handler();
if (status_register.b1==1) /*program to protect block error*/
error_handler();
}
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