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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30B85 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 58/91頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30B85 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
58
Datasheet
10.4
DC Voltage Characteristics
Table 20. DC Voltage Characteristics
Sym
Parameter
(1)
Note
V
CCQ
= 3.0 V
Unit
Test Condition
32/64 Mbit
128 Mbit
Min
Max
Min
Max
V
IL
Input Low
8
0
0.4
0
0.4
V
V
IH
Input High
V
CCQ
– 0.4
V
CCQ
V
CCQ
– 0.4
V
CCQ
V
V
OL
Output Low
0.1
0.1
V
V
CC
= V
CC
Min
V
CCQ
= V
Min
I
OL
= 100 μA
V
CC
= V
CC
Min
V
CCQ
= V
Min
I
OH
= –100 μA
V
OH
Output High
V
– 0.1
V
– 0.1
V
V
PPLK
V
LKO
V
ILKOQ
V
PP
Lock-Out
V
CC
Lock
V
CCQ
Lock
7
0.4
0.4
V
1.0
1.0
V
0.9
0.9
V
NOTE:
For all numbered note references in this table, refer to the notes in
Table 19, “DC Current
Characteristics” on page 56
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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