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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30B85 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫(huà)| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 60/91頁(yè) |
| 文件大小： | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30B85 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
60
Datasheet
x
NOTES:
1. See
Figure 33, “AC Input/Output Reference Waveform” on page 75
for timing measurements and maximum
allowable input slew rate.
2. AC specifications assume the data bus voltage is less than or equal to V
CCQ
when a read operation is
initiated.
3. Address hold in synchronous-burst mode is defined as t
CHAX
or t
VHAX
, whichever timing specification is
satisfied first.
4. OE# may be delayed by up to t
ELQV
– t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact to t
ELQV
.
5. Sampled, not 100% tested.
6. Applies only to subsequent synchronous reads.
7. During the initial access of a synchronous burst read, data from the first word may begin to be driven onto the
data bus as early as the first clock edge after t
AVQV
.
8. All specs above apply to all densities.
Synchronous Specifications
R301
t
AVCH
t
VLCH
t
ELCH
t
CHQV
t
CHQX
t
CHAX
t
CHTV
t
ELTV
t
EHTZ
t
EHEL
Address Valid Setup to CLK
9
9
10
ns
R302
ADV# Low Setup to CLK
10
10
10
ns
R303
CE# Low Setup to CLK
9
9
9
ns
R304
CLK to Output Valid
8
20
22
22
ns
R305
Output Hold from CLK
5
5
5
ns
R306
Address Hold from CLK
3
10
10
10
ns
R307
CLK to WAIT Valid
8
20
22
22
ns
R308
CE# Low to WAIT Valid
6
20
22
22
ns
R309
CE# High to WAIT High-Z
5,6
25
25
25
ns
R310
CE# Pulse Width High
6
20
20
20
ns
Table 21. Read Operations (Sheet 2 of 2)
#
Sym
Parameter
1,2
Notes
32-Mbit
64-Mbit
128-Mbit
Unit
-70
-85
-90
Min
Max
Min
Max
Min
Max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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