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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30B85 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 65/91頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30B85 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
65
NOTES:
1.
Section 8.2, “First Access Latency Count (CR[13:11])” on page 45
describes how to insert clock cycles during
the initial access.
2. WAIT (shown asserted; CR.10 = 0) can be configured to assert either during, or one data cycle before, valid
data.
Figure 23. Synchronous 4-Word Burst Read Operation Waveform
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Valid
Address
V
IH
V
IL
Note 1
V
OH
V
OL
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
High Z
R105
R102
R301
R302
R306
R101
R2
R106
R103
R3
R4
R7
R304
R5
R305
R8
R9
0
1
RST# [P]
WAIT [T]
WE# [W]
OE# [G]
CE# [E]
ADV# [V]
Address [A]
CLK [C]
Data [Q]
Note 2
R104
R303
R10
R307
High Z
R308
R309
R310
High Z
High Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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