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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F640W30B85 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動畫| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 91/91頁 |
| 文件大小： | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30B85 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
91
Appendix D Ordering Information
Figure 39. Component Ordering Information
R D 2 8 F 6 4 0 8 W
T 7 0
Package Designator,
Extended Temperature
(-25 C to +85 C)
GE = 0.75 MM VF BGA
RD = Stacked CSP
GT = 0.75 MM μBGA*
Product line designator
for all Intel
Flash products
Access Speed
70 ns
85 ns
Product Family
W30 = 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory
with 3 Volt I/O and SRAM
V
CC
= 1.70 V - 1.90 V
V
CCQ
= 2.20 V - 3.30 V
Flash Density
320 = x16 (32-Mbit)
640 = x16 (64-Mbit)
128 = x16 (128-Mbit)
Parameter Partition
T =
Top Parameter
Device
B =
Bottom Parameter
Device
SRAM Density for
Stacked-CSP Products
Only
4 = x16 (4-Mbit)
8 = x16 (8-Mbit)
3 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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