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參數(shù)資料
| 型號： | MT48LC32M4A2P-7ELIT:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 13/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 2385K |
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PDF: 09005aef8091e66d/Source: 09005aef8091e625
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128MSDRAM_2.fm - Rev. N 1/09 EN
20
1999 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Functional Description
Figure 8:
CAS Latency
Operating Mode
The normal operating mode is selected by setting M7 and M8 to 0; the other combina-
tions of values for M7 and M8 are reserved for future use and/or test modes. The
programmed BL applies to both read and write bursts.
Test modes and reserved states should not be used because unknown operation or
incompatibility with future versions may result.
Write Burst Mode
When M9 = 0, the BL programmed via M0–M2 applies both to read and write bursts;
when M9 = 1, the programmed BL applies to read bursts, but write accesses are single-
location (nonburst) accesses.
Table 6:
CAS Latency
Speed
Allowable Operating Frequency (MHz)
CL = 2
CL = 3
-6A
–
≤ 167
-7E
≤ 133
≤ 143
-75
≤ 100
≤ 133
CLK
DQ
T2
T1
T3
T0
CL = 3
LZ
DOUT
tOH
t
COMMAND
NOP
READ
tAC
NOP
T4
NOP
DON’T CARE
UNDEFINED
CLK
DQ
T2
T1
T3
T0
CL = 2
LZ
DOUT
tOH
t
COMMAND
NOP
READ
tAC
NOP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L256L32FT-12 | 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L512V18PF-6 | 512K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
| MT57W4MH9CF-6 | 4M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| MT58L128L36D1T-5IT | 128K X 36 STANDARD SRAM, 2.8 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48LC32M4A2TG | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A2TG-75 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A2TG-75IT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
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