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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT48LC32M4A2P-7ELIT:G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 54/74頁(yè) |
| 文件大小： | 2385K |
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PDF: 09005aef8091e66d/Source: 09005aef8091e625
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128MSDRAM_2.fm - Rev. N 1/09 EN
58
1999 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Timing Diagrams
Figure 42:
READ – Without Auto Precharge
Notes:
1. For this example, BL = 4, CL = 2, and the READ burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. x16: A9 and A11 = “Don’t Care.”
x8: A11 = “Don’t Care.”
ALL BANKS
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRCD
CAS Latency
tRC
tOH
DOUT m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
BANK
BANK(S)
BANK
ROW
BANK
tHZ
tOH
DOUT m+3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
DOUT m+2
DOUT m+1
tCMH
tCMS
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
DISABLE AUTO PRECHARGE
SINGLE BANKS
DON’T CARE
UNDEFINED
COLUMN m2
tCKH
tCKS
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DQM /
DQML, DQMH
CKE
CLK
A0–A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
COMMAND
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L256L32FT-12 | 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L512V18PF-6 | 512K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
| MT57W4MH9CF-6 | 4M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| MT58L128L36D1T-5IT | 128K X 36 STANDARD SRAM, 2.8 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48LC32M4A2TG | 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A2TG-75 | 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A2TG-75IT | 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
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