參數(shù)資料
型號(hào): MT47H128M8HQ-187ELAT:E
元件分類: DRAM
英文描述: 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60
封裝: 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
文件頁(yè)數(shù): 59/133頁(yè)
文件大小: 9170K
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)當(dāng)前第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)
AC Timing Operating Specifications
Table 11: AC Operating Specifications and Conditions
Not all speed grades listed may be supported for this device; refer to the title page for speeds supported; Notes: 1–5 apply to the entire table;
VDDQ = +1.8V ±0.1V, VDD = +1.8V ±0.1V
AC Characteristics
-187E
-25E
-25
-3E
-3
-37E
-5E
Units Notes
Parameter
Symbol
Min
Max
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
Clock
cycle time
CL = 7 tCK (avg) 1.875
8.0
ns
CL = 6 tCK (avg)
2.5
8.0
2.5
8.0
2.5
8.0
CL = 5 tCK (avg)
3.0
8.0
2.5
8.0
3.0
8.0
3.0
8.0
3.0
8.0
CL = 4 tCK (avg) 3.75
8.0
3.75
8.0
3.75
8.0
3.0
8.0
3.75
8.0
3.75
8.0
5.0
8.0
CL = 3 tCK (avg)
5.0
8.0
5.0
8.0
5.0
8.0
5.0
8.0
5.0
8.0
5.0
8.0
5.0
8.0
CK high-level width tCH (avg) 0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
tCK
CK low-level width tCL (avg)
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
0.48
0.52
tCK
Half clock period
tHP
MIN = lesser of tCH and tCL
MAX = n/a
ps
Absolute tCK
tCK (abs)
MIN = tCK (AVG) MIN + tJITper (MIN)
MAX = tCK (AVG) MAX + tJITper (MAX)
ps
Absolute CK
high-level width
tCH (abs)
MIN = tCK (AVG) MIN × tCH (AVG) MIN + tJITdty (MIN)
MAX = tCK (AVG) MAX × tCH (AVG) MAX + tJITdty (MAX)
ps
Absolute CK
low-level width
tCL (abs)
MIN = tCK (AVG) MIN × tCL (AVG) MIN + tJITdty (MIN)
MAX = tCK (AVG) MAX × tCL (AVG) MAX + tJITdty (MAX)
ps
1Gb:
x4,
x8,
x16
DDR2
SDRAM
AC
Timing
Operating
Specifications
PDF:
09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf
Rev.
S
10/09
EN
31
Micron
Technology,
Inc.
reserves
the
right
to
change
products
or
specifications
without
notice.
2004
Micron
Technology,
Inc.
All
rights
reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT48LC2M32B1TG-7 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86
MT48LC32M4A2P-7ELIT:G 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
MT55L256L18FT-12TR 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100
MT55L256L32FT-12 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100
MT55L512V18PF-6 512K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT47H128M8HQ-25AT 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM
MT47H128M8HQ-25EAT 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM