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參數(shù)資料
| 型號： | K5A3240YT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| 中文描述： | 多芯片封裝存儲器32兆位（4Mx8/2Mx16）雙銀行NOR閃存/分（512Kx8/256Kx16）全CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 29/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 867K |
| 代理商： | K5A3240YT |
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MCP MEMORY
K5A3x40YT(B)C
Revision 0.0
November 2002
- 35 -
Preliminary
Flash SWITCHING WAVEFORMS
Chip/Block Erase Operations
Parameter
Symbol
70ns
80ns
Unit
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
tWC
70
-
80
-
ns
Address Setup Time
tAS
0
-
0
-
ns
Address Hold Time
tAH
45
-
45
-
ns
Data Setup Time
tDS
35
-
35
-
ns
Data Hold Time
tDH
0
-
0
-
ns
OE Setup Time
tOES
0
-
0
-
ns
CEF Setup Time
tCS
0
-
0
-
ns
Write Pulse Width
tWP
35
-
35
-
ns
Write Pulse Width High
tWPH
25
-
25
-
ns
Read Cycle Time
tRC
70
-
80
-
ns
VccF Set Up Time
tVCS
50
-
50
-
s
OE
Address
tCS
CEF
DATA
WE
tAH
tAS
tRC
tDS
tDH
80H
AAH
55H
30H
10H for Chip Erase
555H
2AAH
555H
2AAH
BA
555H for Chip Erase
tWPH
tWP
tOES
55H
RY/BY
tWC
tVCS
VccF
NOTE: BA : Block Address
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