- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄224103 > K5A3240YT (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K5A3240YT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| 中文描述： | 多芯片封裝存儲器32兆位（4Mx8/2Mx16）雙銀行NOR閃存/分（512Kx8/256Kx16）全CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 31/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 867K |
| 代理商： | K5A3240YT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當(dāng)前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁
MCP MEMORY
K5A3x40YT(B)C
Revision 0.0
November 2002
- 37 -
Preliminary
Data Polling During Internal Routine Operation
Flash SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
70ns
80ns
Unit
Min
Max
Min
Max
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
tBUSY
90
-
90
-
ns
Chip Enable Access Time
tCE
-
70
-
80
ns
Output Enable Time
tOE
-
25
-
25
ns
CEF & OE Disable Time
tDF
-
16
-
16
ns
Output Hold Time from Address, CEF or OE
tOH
0
-
0
-
ns
OE Hold Time
tOEH2
10
-
10
-
ns
OE
tCE
tOEH2
CEF
DQ7
WE
tOE
HIGH-Z
tDF
NOTE: *DQ7=Vaild Data (The device has completed the internal operation).
DQ7
*DQ7 = Valid Data
tOH
tPGM or tBERS
HIGH-Z
Valid Data
DQ0-DQ6
Data In
WE
RY/BY Timing Diagram During Program/Erase Operation
The rising edge of the last WE signal
CEF
RY/BY
tBUSY
Entire progrming
or erase operation
Status Data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6R1004C1C | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I10 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I12 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I15 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K5A3240YTC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3240YTC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3280YBC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MCP MEMORY |
| K5A3280YBC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MCP MEMORY |
| K5A3280YTC-T755 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:MCP 32M BIT (4M X 8/2M X 16) DUAL BANK NOR FLASH MEMORY / 8M(1M X 8/512K X 16) FULL CMOS SRAM, PBGA69 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。