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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT29F4G08BABWP |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1057K |
| 代理商： | MT29F4G08BABWP |
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PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
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2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
20
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Bus Operation
Notes: 1. WP# should be biased to CMOS HIGH or LOW for standby.
2. PRE should be tied to VCC or ground. Do not transition PRE during device operations.
The PRE function is not supported on extended-temperature devices.
3. Mode selection settings for this table: H = Logic level HIGH; L = Logic level LOW;
X = VIH or VIL.
Table 6:
Mode Selection
CLE
ALE
CE#
WE#
RE#
WP#1
PRE2
Mode
HL
L
H
X
Read mode
Command input
LH
L
H
X
Address input
HL
L
H
X
Write mode
Command input
LH
L
H
X
Address input
LL
L
H
X
Data input
LL
L
H
X
Sequential read and data output
LL
L
H
X
During read (busy)
X
XXXX
H
X
During program (busy)
X
XXXX
H
X
During erase (busy)
X
XXXX
L
X
Write protect
XX
H
X
0V/VCC
Standby
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MT29F4G08BABWP-ET TR | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869 |
| MT29F4G08BBBWP | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869 |
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