參數(shù)資料
型號： MT29F4G08BABWP
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 33/57頁
文件大?。?/td> 1057K
代理商： MT29F4G08BABWP
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
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2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
39
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Electrical Characteristics
Note:
The PRE function is not supported on extended-temperature devices.
Notes: 1. Invalid blocks are blocks that contain one or more bad bits. The device may contain bad
blocks upon shipment. Additional bad blocks may develop over time; however, the total
number of available blocks will not drop below NVB during the endurance life of the
device. Do not erase or program blocks marked invalid by the factory.
2. Block 00h (the first block) is guaranteed to be valid and does not require error correction
up to 1,000 PROGRAM/ERASE cycles.
Notes: 1. These parameters are verified in device characterization and are not 100 percent tested.
2. Test conditions: Tc = 25°C; f = 1 MHz; VIN = 0V.
Table 13:
DC and Operating Characteristics
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sequential read current
tCYCLE = 30ns,
CE# = VIL,
IOUT = 0mA
Icc1
–
15
30
mA
Program current
–ICC2
–
15
30
mA
Erase current
–ICC3
–
15
30
mA
Standby current (TTL)
CE# = VIH,
PRE = WP# = 0V/VCC
ISB1–
–
1
mA
Standby current (CMOS)
MT29F2GxxAAB
CE# = VCC - 0.2V,
PRE = WP# = 0V/VCC
ISB2
–
10
50
A
Standby current (CMOS)
MT29F4GxxBAB
MT29F8G08FAB
CE# = VCC - 0.2V,
PRE = WP# = 0V/VCC
ISB2
–
20
100
A
Input leakage current
VIN = 0V to VCC
ILI
–
±10
A
Output leakage current
VOUT = 0V to VCC
ILO
–
±10
A
Input high voltage
I/O [7–0], I/O [15–0]
CE#, CLE, ALE, WE#,
RE#, WP#, PRE, R/B#
VIH
0.8 x Vcc
–
VCC + 0.3
V
Input low voltage (all inputs)
–VIL
-0.3
–
0.8
V
Output high voltage
IOH = -400A
VOH
2.4
–
V
Output low voltage
IOL = 2.1mA
VOL
––
0.4
V
Output low current (R/B#)
VOL = 0.4V
IOL (R/B#)
8
10
–
mA
Table 14:
Valid Blocks
Parameter
Symbol
Device
Min
Max
Unit
Notes
Number of valid blocks
NVB
MT29F2GxxAAB
2,008
2,048
Blocks
1, 2
MT29F4GxxBAB
4,016
4,096
MT29F8G08FAB
8,032
8,192
Table 15:
Capacitance
Description
Symbol
Device
Max
Unit
Notes
Input capacitance
CIN
MT29F2GxxAAB
10
pF
1, 2
MT29F4GxxBAB
20
MT29F8G08FAB
40
Input/output capacitance (I/O)
CIO
MT29F2GxxAAB
10
pF
1, 2
MT29F4GxxBAB
20
MT29F8G08FAB
40
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MT29F4G08BABWP-ET TR 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BBBWP 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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