- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄224505 > MT29F4G08BABWP 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MT29F4G08BABWP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數： | 15/57頁 |
| 文件大小： | 1057K |
| 代理商： | MT29F4G08BABWP |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁當前第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
22
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Command Definitions
definition of die address boundaries.
2. Do not cross die address boundaries when using READ for INTERNAL DATA MOVE and
boundaries.
3. RANDOM DATA READ command limited to use within a single page.
4. RANDOM DATA INPUT for PROGRAM command limited to use within a single page.
Table 7:
Command Set
Operation
Cycle 1
Cycle 2
Valid During Busy
PAGE READ
00h
30h
No
PAGE READ CACHE MODE START1
31h
–
No
PAGE READ CACHE MODE START LAST1
3Fh
–
No
READ for INTERNAL DATA MOVE2
00h
35h
No
RANDOM DATA READ3
05h
E0h
No
READ ID
90h
–
No
READ STATUS
70h
–
Yes
PROGRAM PAGE
80h
10h
No
PROGRAM PAGE CACHE1
80h
15h
No
PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE2
85h
10h
No
RANDOM DATA INPUT for PROGRAM 4
85h
–
No
BLOCK ERASE
60h
D0h
No
RESET
FFh
–
Yes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT36JSZF51272PDY-1G6XX | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| MT3S04AU | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MT41J512M4JE-187EIT:A | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA82 |
| MT42C8255RG-7TR | 256K X 8 VIDEO DRAM, 70 ns, PDSO40 |
| MT46V32M16TG-75ELIT | 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT29F4G08BABWP-ET | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT29F4G08BABWP-ET TR | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT29F4G08BBBWP | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。