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參數資料
| 型號： | MT29F4G08BABWP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數： | 53/57頁 |
| 文件大小： | 1057K |
| 代理商： | MT29F4G08BABWP |
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PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
57
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Revision History
Rev. I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1/06
“Options” on page 1 and Figure 2 on page 2: Added new 8Gb-only version of the lead-free 48-pin TSOP.
“Error Management” on page 37: Clarified addressing and bad block marking description.
“VCC Power Cycling” on page 38: corrected to 2.0V for PROGRAM and ERASE operation disable.
Rev. H . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9/05
Updated READ STATUS 70h description.
Rev. G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9/05
Clarified READ STATUS 70h description on page 27.
Updated Figure 22 on page 28 and moved up under new description.
Rev. F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8/05
Revised endurance feature on page 1: deleted “with ECC and invalid block mapping.”
Updated tR functional description.
Added data retention period.
Clarified AC characteristics.
Rev. E . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7/05
Replaced DNU definition in Table 1 on page 9.
Rev. D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6/05
Updated address latch diagram.
Rev. C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5/05
Added WRITE PROTECT.
Updated standby current descriptions.
Rev. B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4/05
Updated package drawing.
Rev. A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4/05
Initial Release
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT29F4G08BABWP-ET | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT29F4G08BABWP-ET TR | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT29F4G08BBBWP | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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