參數(shù)資料
型號： MT29F4G08BABWP
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 56/57頁
文件大?。?/td> 1057K
代理商： MT29F4G08BABWP
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
8
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
General Description
Figure 3:
NAND Flash Functional Block Diagram
Note:
The PRE function is not supported on extended-temperature devices.
Figure 4:
Pin Assignment (Top View) 48-Pin TSOP Type 1
Notes: 1. CE2# and R/B2# on 8Gb device only. These pins are NC for other configurations.
2. The PRE function is not supported on extended-temperature devices.
Address Register
Data Register
Cache Register
Status Register
Command Register
CE#
VCC
VSS
CLE
ALE
WE#
RE#
WP#
I/O [7:0]
I/O [15:0]
Control
Logic
I/O
Control
R/B#
Row
Decode
Column Decode
x8
NC
R/B2#
1
R/B#
RE#
CE#
CE2#
1
NC
Vcc
Vss
NC
CLE
ALE
WE#
WP#
DNU
NC
x16
NC
R/B#
RE#
CE#
NC
Vcc
Vss
NC
CLE
ALE
WE#
WP#
DNU
NC
x16
Vss
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
NC
PRE/VSS2
Vcc
NC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
Vss
x8
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
NC
PRE/VSS2
Vcc
Vss
NC
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
NC
1
●
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
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PDF描述
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參數(shù)描述
MT29F4G08BABWP-ET 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BABWP-ET TR 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BBBWP 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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