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參數(shù)資料
| 型號： | MT29F4G08BABWP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 20/57頁 |
| 文件大小： | 1057K |
| 代理商： | MT29F4G08BABWP |
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PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
27
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Command Definitions
Notes: 1. b = binary, h = hex
2. The MT29F8G08FAB device ID code reflects the configuration of each 4Gb section.
READ STATUS 70h
These NAND Flash devices have an 8-bit status register that the software can read dur-
ing device operation. On the x16 device, I/O[15:8] are “0” when reading the status regis-
ter. Table 9 on page 28 describes the status register.
After the READ STATUS command has been issued to the NAND Flash device, all subse-
quent READ cycles will output data from the status register until another command is
issued. Note that the RE# pin can be toggled multiple times without issuing a new READ
STATUS command, as shown in Figure 21. Each time the RE# pin is toggled, the updated
status will be output on I/O[7:0].
In addition, after a READ STATUS command has been issued to the NAND Flash device,
the status register provides continually updated output on I/O[7:0] as long as CE# and
RE# are held LOW, i.e., RE# does not have to be toggled.
Note that MT29FxGxxxAB devices do not support a READ STATUS operation in which
the READ STATUS (70h) command is repeatedly issued after each RE# toggle.
Additional details regarding READ STATUS implementation are available in Micron
technical note TN-29-13 at: www.micron.com/products/nand/massstorage/technote.
Table 8:
Device ID and Configuration Codes
Options
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
Value1
Notes
Byte 0
Manufacturer ID
Micron
0
010
110
0
2Ch
Byte 1
Device ID
MT29F2G08AAB
2Gb, x8, 3V
1
101
0
DAh
MT29F2G16AAB
2Gb, x16, 3V
1
100
101
0
CAh
MT29F4G08BAB
4Gb, x8, 3V
1
101
110
0
DCh
MT29F4G16BAB
4Gb, x16, 3V
1
100
110
0
CCh
MT29F8G08FAB
8Gb, x8, 3V
1
101
110
0
DCh
2
Byte 2
Byte value
Don’t Care
xx
xxx
XXh
Byte 3
Page size
2KB
0
1
01b
Spare area size (bytes)
64
0
1
01b
Block size (w/o spare)
128KB
0
1
01b
Organization
x8
00b
x16
11b
Reserved
00b
Byte value
x8
0
001
010
1
15h
Byte value
x16
0
101
010
1
55h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
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