參數(shù)資料
型號(hào)： MT29F4G08BABWP
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 29/57頁
文件大?。?/td> 1057K
代理商： MT29F4G08BABWP
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
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2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
35
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Command Definitions
WRITE PROTECT Operation
The WRITE PROTECT feature protects the device against inadvertent PROGRAM and
ERASE operations. All PROGRAM and ERASE operations are disabled when WP# is LOW.
For WRITE PROTECT timing details, see Figures 30 through 33.
Figure 30:
ERASE Enable
Figure 31:
ERASE Disable
Figure 32:
PROGRAM Enable
tWW
60h
D0h
WE#
I/Ox
WP#
R/B#
tWW
60h
D0h
WE#
I/Ox
WP#
R/B#
tWW
80h
10h
WE#
I/Ox
WP#
R/B#
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT36JSZF51272PDY-1G6XX 512M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240
MT3S04AU UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MT41J512M4JE-187EIT:A 64M X 4 DDR DRAM, PBGA82
MT42C8255RG-7TR 256K X 8 VIDEO DRAM, 70 ns, PDSO40
MT46V32M16TG-75ELIT 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT29F4G08BABWP-ET 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BABWP-ET TR 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BBBWP 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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