參數(shù)資料
型號(hào)： MT29F4G08BABWP
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 35/57頁(yè)
文件大?。?/td> 1057K
代理商： MT29F4G08BABWP
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
40
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Electrical Characteristics
Notes: 1. Verified in device characterization; not 100 percent tested.
Notes: 1. Timing for tADL begins in the ADDRESS cycle, on the final rising edge of WE#, and ends
with the first rising edge of WE# for data input.
2. For PROGRAM PAGE CACHE MODE operations, the x16 AC characteristics apply for both
x16 and x8 devices.
Table 16:
Test Conditions
Parameter
Value
Notes
Input pulse levels: MT29FxGxxxAB
0.0V to 3.3V
Input rise and fall times
5ns
Input and output timing levels
VCC/2
Output load
MT29FxGxxxAB (VCC = 3.0V ±10%)
1 TTL GATE and CL = 50pF
MT29FxGxxxAB (VCC = 3.3V ±10%)
1 TTL GATE and CL = 100pF
1
Table 17:
AC Characteristics: Command, Data, and Address Input
Parameter
Symbol
x16
x8
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
ALE to data start
tADL
100
–
100
–
ns
1
ALE hold time
tALH
10
–
5
–
ns
2
ALE setup time
tALS
25
–
10
–
ns
2
CE# hold time
tCH
10
–
5
–
ns
2
CLE hold time
tCLH
10
–
5
–
ns
2
CLE setup time
tCLS
25
–
10
–
ns
2
CE# setup time
tCS
35
–
15
–
ns
2
Data hold time
tDH
10
–
5
–
ns
2
Data setup time
tDS
20
–
10
–
ns
2
Write cycle time
tWC
45
–
30
–
ns
2
WE# pulse width HIGH
tWH
15
–
10
–
ns
2
WE# pulse width
tWP
25
–
15
–
ns
2
WP# setup time
tWW
30
–
30
–
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT36JSZF51272PDY-1G6XX 512M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT29F4G08BABWP-ET 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
MT29F4G08BABWP-ET TR 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
MT29F4G08BBBWP 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
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