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參數(shù)資料
| 型號： | MT29F4G08BABWP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 52/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1057K |
| 代理商： | MT29F4G08BABWP |
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8000 S. Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707-0006, Tel: 208-368-3900
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This data sheet contains minimum and maximum limits specified over the complete power supply and temperature range
for production devices. Although considered final, these specifications are subject to change, as further product
development and data characterization sometimes occur.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Package Dimensions
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
56
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Package Dimensions
Figure 55:
48-Pin TSOP Type I
Notes: 1. All dimensions in millimeters; MIN/MAX, or typical, as noted.
2. For design guidelines using the 8Gb device, see Micron technical note TN-29-09, at:
1.20 MAX
0.15
+0.03
-0.02
0.20 ±0.05
SEE DETAIL A
0.50 TYP
18.40 ±0.08
20.00 ±0.25
12.00 ±0.08
DETAIL A
0.50 ±0.1
0.80
0.10
+0.10
-0.05
0.10
0.25
GAGE
PLANE
0.25
PIN #1 INDEX
PLATED LEAD FINISH: 90% Sn, 10% Pb OR 100%Sn
PLASTIC PACKAGE MATERIAL: NOVOLAC EPOXY
PACKAGE WIDTH AND LENGTH DO NOT
INCLUDE MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE
PROTRUSION IS 0.25 PER SIDE.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT36JSZF51272PDY-1G6XX | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| MT3S04AU | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MT41J512M4JE-187EIT:A | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA82 |
| MT42C8255RG-7TR | 256K X 8 VIDEO DRAM, 70 ns, PDSO40 |
| MT46V32M16TG-75ELIT | 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT29F4G08BABWP-ET | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT29F4G08BABWP-ET TR | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT29F4G08BBBWP | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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