參數(shù)資料
型號(hào)： MT29F4G08BABWP
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 28/57頁
文件大?。?/td> 1057K
代理商： MT29F4G08BABWP
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
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2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
34
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Command Definitions
RESET Operation
RESET FFh
The RESET command is used to put the memory device into a known condition and to
abort a command sequence in progress.
RANDOM READ, PROGRAM, and ERASE commands can be aborted while the device is
in the busy state. The contents of the memory location being programmed or the block
being erased are no longer valid. The data may be partially erased or programmed, and
is invalid. The command register is cleared and is ready for the next command.
The status register contains the value E0h when WP# is HIGH; otherwise it is written
with a 60h value. R/B# goes low for tRST after the RESET command is written to the
command register. (See Figure 29 and Table 10.)
Figure 29:
RESET Operation
Table 10:
Status Register Contents After RESET Operation
Condition
Status
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Hex
WP# HIGH
Ready
1
000
00
E0h
WP# LOW
Ready and write protected
0
1
000
00
60h
CLE
CE#
WE#
R/B#
I/Ox
tRST
tWB
FF
RESET
Command
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT36JSZF51272PDY-1G6XX 512M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240
MT3S04AU UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MT41J512M4JE-187EIT:A 64M X 4 DDR DRAM, PBGA82
MT42C8255RG-7TR 256K X 8 VIDEO DRAM, 70 ns, PDSO40
MT46V32M16TG-75ELIT 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT29F4G08BABWP-ET 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BABWP-ET TR 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BBBWP 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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