參數(shù)資料
型號: MT29F4G08BABWP
元件分類: PROM
英文描述: 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48
封裝: LEAD FREE, TSOP1-48
文件頁數(shù): 4/57頁
文件大?。?/td> 1057K
代理商: MT29F4G08BABWP
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
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2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
12
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2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Addressing
Figure 7:
Array Organization for MT29F2G08AxB (x8)
Note:
CAx = column address; RAx = row address.
Table 2:
Array Addressing: MT29F2G08AxB
Cycle
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
First
CA7
CA6
CA5
CA4
CA3
CA2
CA1
CA0
Second
LOW
CA11
CA10
CA9
CA8
Third
RA19
RA18
RA17
RA16
RA15
RA14
RA13
RA12
Fourth
RA27
RA26
RA25
RA24
RA23
RA22
RA21
RA20
Fifth
LOW
RA28
Cache Register
Data Register
2,048 blocks
per device
1 Block
64
2,048
64
2,048
2,112 bytes
I/O 7
I/O 0
64 pages = 1 block
(128K + 4K) bytes
1 page
= (2K + 64 bytes)
1 block
= (2K + 64) bytes x 64 pages
= (128K + 4K) bytes
1 device = (2K + 64) bytes x 64 pages
x 2,048 blocks
= 2,112 Mb
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MT29F4G08BABWP-ET 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BABWP-ET TR 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT29F4G08BBBWP 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869