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參數(shù)資料
| 型號： | MT29F4G08BABWP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 7/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1057K |
| 代理商： | MT29F4G08BABWP |
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PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. I 1/06 EN
15
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Addressing
Figure 10:
Array Organization for MT29F4G16BxB (x16)
Notes: 1. Die address boundary: 0 = 0 – 2Gb, 1 = 2Gb – 4Gb.
2. I/O[15:8] are not used during the addressing sequence and should be driven LOW.
Table 5:
Array Addressing: MT29F4G16BxB
CAx = column address; RAx = row address.
Cycle
I/O[15:8]
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
First
LOW
CA7
CA6
CA5
CA4
CA3
CA2
CA1
CA0
Second
LOW
CA10
CA9
CA8
Third
LOW
RA18RA17RA16RA15RA14RA13RA12RA11
Fourth
LOW
RA26RA25RA24RA23RA22RA21RA20RA19
Fifth
LOW
RA281
RA27
Cache Register
Data Register
4,096 blocks
per device
1 Block
32
1,024
32
1,024
1,056 words
I/O 15
I/O 0
64 pages = 1 block
(64K + 2K) words
1 page
= (1K + 32) words
1 block
= (1K + 32) words x 64 pages
= (64K + 2K) words
1 device = (1K + 32) words x 64 pages
x 4,096 blocks
= 4,224 Mb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT29F4G08BABWP-ET | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT29F4G08BABWP-ET TR | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT29F4G08BBBWP | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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