參數(shù)資料
型號(hào)： K4J52324KI-HC1A0
元件分類： DRAM
英文描述： 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136
文件頁(yè)數(shù)： 23/61頁(yè)
文件大?。?/td> 1364K
代理商： K4J52324KI-HC1A0
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K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
Table Of Contents
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4M64163PK-BE900 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
K507 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K001 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K004 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K5A22NAU KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4J52324QC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-AC20000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays
K4J52324QC-BC14 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BC14000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays
K4J52324QC-BC16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
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