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參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 55/61頁 |
| 文件大小： | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
10. IBIS : I/V CHARACTERISTICS FOR INPUT AND OUTPUT BUFFERS
OCD (40
Ω)
Pulldown Current (mA)
Pullup Current (mA)
Voltage
(V)
Minimum
Maximum
Minimum
Maximum
0.1
2.8
3.2
-2.4
-3.1
0.2
5.5
9.6
-4.7
-6.2
0.3
8.1
12.8
-7.0
-9.2
0.4
10.8
15.9
-9.2
-12.1
0.5
13.3
19.0
-11.4
-14.9
0.6
15.8
22.0
-13.4
-17.7
0.7
18.2
25.1
-15.3
-20.3
0.8
20.5
28.0
-17.1
-22.8
0.9
22.8
31.0
-18.8
-25.2
1.0
24.9
33.8
-20.3
-27.5
1.1
26.9
36.7
-21.7
-29.6
1.2
28.8
36.7
-22.9
-31.6
1.3
30.6
39.4
-23.9
-33.3
1.4
32.2
42.1
-24.8
-34.9
1.5
33.7
44.7
-25.4
-36.3
1.6
35.2
47.0
-26.0
-37.5
1.7
36.3
49.2
-26.5
-38.3
1.8
37.7
51.4
-27.0
-39.3
1.9
38.7
53.3
-27.4
-40.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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