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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 60/61頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
7. FUNCTIONAL DESCRIPTION
7.1 Simplified State Diagram
Self
Auto
Idle
MRS
EMRS
Row
Precharge
Power
Write
Power
ACT
Read A
Read
REFS
REFSX
REFA
CKEL
MRS
CKEH
CKEL
Write
Power
Applied
Automatic Sequence
Command Sequence
Read A
Write A
Read
PRE
Refresh
Down
Power
Down
Active
On
A
Read
A
Read
A
Write A
PREALL
Active
Precharge
PREALL
Read
Write
PREALL = Precharge All Banks
MRS = Mode Register Set
EMRS = Extended Mode Register Set
REFS = Enter Self Refresh
REFSX = Exit Self Refresh
REFA = Auto Refresh
CKEL = Enter Power Down
CKEH = Exit Power Down
ACT = Active
Write A = Write with Autoprecharge
Read A = Read with Autoprecharge
PRE = Precharge
Write
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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