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參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 59/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
6. BLOCK DIAGRAM (2Mbit x 32I/O x8 Bank)
* iCK : internal clock
Bank Select
Timing Register
A
ddress
Reg
ist
er
Refresh
Coun
te
r
Row
Buf
fer
Ro
w
D
ecode
r
Col.
Buf
fe
r
Data Input Register
Serial to parallel
2M x 32
Sense
AMP
4-b
itpre
fetch
Ou
tp
ut
Buf
fer
I/O
Control
Column Decoder
Latency & Burst Length
Programming Register
S
trobe
Gen.
iCK
ADDR
LCKE
iCK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DMi
LDMi
CK,CK
LCAS
LRAS LCBR
LWE
LWCBR
LR
AS
LC
BR
128
32
LWE
LDMi
x32
DQi
Input Buffer
128
Output
DLL
Input Buffer
RDQS
WDQS
2M x 32
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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