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參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 35/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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- 40 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
NOTE : 1. DI b, etc. = data-in for column b, etc.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI n.
4. burst of 4 is shown.
5. Each WRITE command may be to any bank.
6. Write latency is set to 3
Figure 19. Nonconsecutive WRITE to WRITE
DON’T CARE
NOP
WRITE
NOP
WRITE
T0
T1
T3
T3n
T4
T5
CK
COMMAND
ADDRESS
Bank,
Col b
NOP
T4n
T5n
T6
DQ
DM
DI
b
WDQS
T2
T6n
T7
NOP
DI
n
Bank,
Col n
tDQSS (NOM)
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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