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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 41/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
8. TRUTH TABLE
[ Table 10 ] Clock Enable (CKE)
NOTE : 1. CKEn is the logic state of CKE at clock edge n; CKEn-1was the state of CKE at the previous clock edge.
2. Current state is the state of the GDDR3(x32) immediately prior to clock edge n.
3. COMMANDn is the command registered at clock edge n, and ACTIONn is a result of COMMANDn
4. All state and sequence not shown are illegal or reserved.
5. DESELECT or NOP commands should be issued on any clock edges occurring during the tXSA period.
CKEn-1
CKEn
CURRENT STATE
COMMANDn
ACTIONn
NOTE
LL
Power-Down
X
Maintain Power-Down
Self Refresh
X
Maintain Self Refresh
LH
Power-Down
DESELECT or NOP
Exit Power-Down
Self Refresh
DESELECT or NOP
Exit Self Refresh
5
HL
All Banks Idle
DESELECT or NOP
Precharge Power-Down Entry
Bank(s) Active
DESELECT or NOP
Active Power-Down Entry
All Banks Idle
AUTO REFRESH
Self Refresh Entry
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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