參數(shù)資料
型號(hào)： K4J52324KI-HC1A0
元件分類： DRAM
英文描述： 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136
文件頁(yè)數(shù)： 38/61頁(yè)
文件大?。?/td> 1364K
代理商： K4J52324KI-HC1A0
- 43 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
NOTE : 1. DI b = data-in for column b.
2. Three subsequent elements of data-in the programmed order following DI b.
3. A burst of 4 is shown.
4. A8 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
5. WRITE latency is set to 3
Figure 22. WRITE to PRECHARGE
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOP
WRITE
T0
T1
T3
T3n
T4
T5
CK
COMMAND
ADDRESS
Bank
Col b
tDQSS
NOP
T4n
T8
DQ
DM
WDQS
T2
T9
PRE
DI
b
T10
T11
NOP
tDQSS (NOM)
Bank
(a or all)
tDQSS
DQ
DM
WDQS
DI
b
tDQSS (MIN)
tDQSS
DQ
DM
WDQS
DI
b
tDQSS (MAX)
tWR
tRP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4M64163PK-BE900 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
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K001 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K004 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K5A22NAU KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT
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參數(shù)描述
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