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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 58/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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- 61 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
11. PACKAGE DIMENSIONS (FBGA)
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
M
N
P
R
G
T
V
8
7
6
543
21
9
10
11
12
10.00 ± 0.10
0.80
2.00
4.40
0.80 x 11 = 8.80
1
4.
0
0±
0.
1
0
6.
4
0
0.
80
x
16
=
12
.80
A
B
# A1 INDEX MARK
(Datum B)
MOLDING AREA
Bottom
0.95
1.90
136-
0.45 Solder ball
0.2 M AB
(Post reflow 0.50
± 0.05)
10.00 ± 0.10
14
.00
±
0.
10
#A1
Top
(Datum A)
0.
80
0.
80
Unit: mm
0.1
0
M
A
X
0.35 ± 0.05
1.10 ± 0.10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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