參數(shù)資料
型號(hào)： K4J52324KI-HC1A0
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136
文件頁(yè)數(shù)： 26/61頁(yè)
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代理商： K4J52324KI-HC1A0
- 32 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
NOTE : 1. DO n (or b) = data-out from column n (or column b).
2. Burst length = 4
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ n.
4. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ b.
5. Shown with nominal tAC and tDQSQ.
6. RDQS will start driving high one half-clock cycle prior to the first falling edge of RDQS.
Figure 12. Consecutive READ Burst
NOP
READ
NOP
READ
T0
T7
T8
T8n
T9
T10
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
DO
n
Bank a,
Col b
T10n
T9n
DO
b
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
T2
CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4M64163PK-BE900 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
K507 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K001 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K004 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K5A22NAU KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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K4J52324QC-BC14 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BC14000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays
K4J52324QC-BC16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
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