參數(shù)資料
型號(hào)： K4J52324KI-HC1A0
元件分類： DRAM
英文描述： 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136
文件頁(yè)數(shù)： 25/61頁(yè)
文件大?。?/td> 1364K
代理商： K4J52324KI-HC1A0
- 31 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
NOTE : 1. DO n=data-out from column n.
2. Burst length = 4
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ n.
4. Shown with nominal tAC and tDQSQ.
5. RDQS will start driving high 1/2 clock cycle prior to the first falling edge.
Figure 11. READ Burst
NOP
READ
T0
T7
T8
T9
T9n
T10
T11
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 9
DO
n
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOP
READ
T0
T7
T8
T8n
T9
T9n
T10
T11
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
DO
n
CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4M64163PK-BE900 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
K507 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K001 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K004 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K5A22NAU KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4J52324QC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-AC20000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays
K4J52324QC-BC14 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BC14000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays
K4J52324QC-BC16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*