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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 45/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
4. DEFINITION OF SIGNAL STATE TERMINOLOGY
Normal Package (Top View)
VDDQ
VDD
VSS
ZQ
VSSQ
DQ0
DQ1
VSSQ
VDDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
VSSQ
WDQS0 RDQS0
VSSQ
VDDQ
DQ4
DM0
VDDQ
VDD
DQ6
DQ5
CAS
VSS
VSSQ
DQ7
BA0
VREF
A1
RAS
CKE
VSSA
RFU1
RFU2
VDDQ
VDDA
A10
A2
A0
VSS
VSSQ
DQ25
A11
VDD
DQ24
DQ27
A3
VDDQ
DQ26
DM3
VDDQ
VSSQ
WDQS3 RDQS3
VSSQ
VDDQ
DQ28
DQ29
VDDQ
VSSQ
DQ30
DQ31
VSSQ
VDDQ
VDD
VSS
SEN
MF
VSS
VDD
VDDQ
VSSQ
DQ9
DQ8
VSSQ
VDDQ
DQ11
DQ10
VDDQ
VSSQ
RDQS1 WDQS1
VSSQ
VDDQ
DM1
DQ12
VDDQ
CS
DQ13
DQ14
VDD
BA1
DQ15
VSSQ
VSS
WE
A5
VREF
VDDQ
CK
VSSA
A4
A6
A8/AP
VDDA
A7
DQ17
VSSQ
VSS
A9
DQ19
DQ16
VDD
VDDQ
DM2
DQ18
VDDQ
VSSQ
RDQS2 WDQS2
VSSQ
VDDQ
DQ21
DQ20
VDDQ
VSSQ
DQ23
DQ22
VSSQ
RESET
VSS
VDD
VDDQ
1
2
3
4
5
678
9
10
11
12
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
V
BA2
NOTE :
1. RFU1 is reserved for future use
2. RFU2 is reserved for future use
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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