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參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 48/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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- 52 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
9.6 DC Characteristics
(0
°C ≤ Tc ≤85°C ; VDD=1.8V + 0.1V, VDDQ=1.8V + 0.1V )
NOTE : 1. Measured with outputs open and ODT off
2. Refresh period is 32ms
3. VIH(AC) and VIL(AC)
(0
°C ≤ Tc ≤85°C ; VDD=1.8V + 0.1V, VDDQ=1.8V + 0.1V )
NOTE : 1. Measured with outputs open and ODT off
2. Refresh period is 32ms
3. VIH(AC) and VIL(AC)
Parameter
Symbol
Test Condition
Version
Unit
NOTE
-HC7A
-HC08
Operating Current
(One Bank Active)
ICC1
Burst Length=4 tRC
≥ tRC(min)
IOL=0mA, tCC= tCC(min)
380
360
mA
1
Precharge Standby Current
in Power-down mode
ICC2P
CKE
≤ VIL(max), tCC= tCC(min)
95
90
mA
1,3
Precharge Standby Current
in Non Power-down mode
ICC2N
CKE
≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min),
tCC= tCC(min)
170
160
mA
1,3
Active Standby Current
power-down mode
ICC3P
CKE
≤ VIL(max), tCC= tCC(min)
130
125
mA
1,3
Active Standby Current in
in Non Power-down mode
ICC3N
CKE
≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min),
tCC= tCC(min)
290
280
mA
1,3
Operating Current
(Burst Mode)
ICC4
IOL=0mA ,tCC= tCC(min),
Page Burst, All Banks activated.
660
630
mA
1
Refresh Current
ICC5
tRC
≥ tRFC
360
350
mA
1,2
Self Refresh Current
ICC6
CKE
≤ 0.2V
20
mA
1
Operating Current
(4Bank interleaving)
ICC7
Burst Length=4 tRC
≥ tRC(min)
IOL=0mA, tCC= tCC(min)
760
720
mA
1
Parameter
Symbol
Test Condition
Version
Unit
NOTE
-HC1A
Operating Current
(One Bank Active)
ICC1
Burst Length=4 tRC
≥ tRC(min)
IOL=0mA, tCC= tCC(min)
340
mA
1
Precharge Standby Current
in Power-down mode
ICC2P
CKE
≤ VIL(max), tCC= tCC(min)
85
mA
1,3
Precharge Standby Current
in Non Power-down mode
ICC2N
CKE
≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min),
tCC= tCC(min)
140
mA
1,3
Active Standby Current
power-down mode
ICC3P
CKE
≤ VIL(max), tCC= tCC(min)
120
mA
1,3
Active Standby Current in
in Non Power-down mode
ICC3N
CKE
≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min),
tCC= tCC(min)
260
mA
1,3
Operating Current
( Burst Mode)
ICC4
IOL=0mA ,tCC= tCC(min),
Page Burst, All Banks activated.
580
mA
1
Refresh Current
ICC5
tRC
≥ tRFC
310
mA
1,2
Self Refresh Current
ICC6
CKE
≤ 0.2V
20
mA
1
Operating Current
(4Bank interleaving)
ICC7
Burst Length=4 tRC
≥ tRC(min)
IOL=0mA, tCC= tCC(min)
660
mA
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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