參數(shù)資料
型號(hào): PM8610-BI
元件分類: 通信、網(wǎng)絡(luò)模塊及開發(fā)工具
英文描述: Telecomm/Datacomm
中文描述: 電信/數(shù)據(jù)通信
文件頁數(shù): 314/373頁
文件大?。?/td> 2042K
代理商: PM8610-BI
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SBI Bus Serializer ASSP Telecom Standard Product Data Sheet
Released
Proprietary and Confidential to PMC-Sierra, Inc., and for its customers’ internal use.
Document No.: PMC-2000168, Issue 5
314
13
Operation
13.1 LVDS Optimizations
The LVDS interface implemented on the SBS and NSE follows the IEEE 1596.3-1996
specification with some minor exceptions. The changes are implemented to customize and
optimize the LVDS interface for the system and are described in detail below. Even with these
differences the LVDS interface should be compatible with the physical layer of other LVDS
interfaces. The differences from the IEEE specification include:
1. Faster rise/fall times (200 – 400) ps versus the specified (300 - 500) ps. Faster edge rates are
commonly used with higher speed LVDS interfaces in the industry to ease interfacing. The
IEEE 1596.3-1996 edge rates are optimized for data rates below 400 Mbps.
2. Hysteresis is not implemented in the receive LVDS interface. Hysteresis is used in many
implementations to negate the effect of noise that may exist on unused LVDS links. Hysteresis
was not implemented in the SBS and NSE devices to minimize circuit complexity, power, and
cost. Instead, the RX interfaces and the DRUs for unused links can be disabled (powered down)
through register control in order to prevent sensitivity to noise on these links.
3. The LVDS transmitter contains an on-chip 100-ohm termination. Most implementations use
a single 100-ohm termination on the receiver. By implementing a double termination (on both
the LVDS receiver and transmitter) better signal integrity and matching is ensured.
4. Although not a difference with the Layer 1 IEEE 1596.3-1996 specification, the Layer 2
8B/10B encoding is discussed here for completeness. 8B/10B encoding guarantees transition
density as compared to scrambled encoding, which provides only a certain probability of
transition density. This guaranteed transition density allows a simpler and more power-effective
data recovery unit, provides a more robust serial interface (greater trace or back-plane distance
achievable). It also negates the need for complete SONET framing since the A1A2 and J0 bytes
can be encoded into special escape characters of the LVDS data stream.
5. The device uses 20% resistors; not 10% as specified by the LVDS specification. They are
20% resistors since that was the highest tolerance resistor available for on-chip applications.
However, because they are integrated on-chip, this LVDS interface can achieve much better
signal integrity than one with off-chip terminations.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMD20K120 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 14A I(C) | TO-3
PMD20K150 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 150V V(BR)CEO | 14A I(C) | TO-3
PMD20K200 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 14A I(C) | TO-3
PMD25K120 High Speed, High Voltage High Side Gate Driver; Package: MSOP; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +125°C
PMD25K150 High Speed, High Voltage High Side Gate Driver; Package: SOT; No of Pins: 6; Temperature Range: -40°C to +125°C
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參數(shù)描述
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PM8611 制造商:PMC 制造商全稱:PMC 功能描述:SBSLITE⑩ Telecom Standard Product Data Sheet Preliminary
PM8611-BIAP 制造商:PMC 制造商全稱:PMC 功能描述:SBSLITE⑩ Telecom Standard Product Data Sheet Preliminary
PM862 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
PM8620 制造商:PMC 制造商全稱:PMC 功能描述:NSE-20G⑩ Standard Product Data Sheet Preliminary