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參數(shù)資料
| 型號： | KM416RD4C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Direct Rambus DRAM(Direct Rambus 動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 直接Rambus公司的DRAM（動態(tài)內(nèi)存直接Rambus公司） |
| 文件頁數(shù)： | 41/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 4654K |
| 代理商： | KM416RD4C |
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Page 42
KM416RD4C/KM418RD4C
Direct RDRAM
Revision 0.7 September 1998
TARGET
CTM/CFM
DQA8..0
DQB8..0
COL4
..COL0
ROW2
..ROW0
T
0
T
4
T
8
T
12
T
1
T
5
T
9
T
13
T
2
T
6
T
10
T
14
T
3
T
7
T
11
T
15
T
16
T
20
T
24
T
28
T
17
T
21
T
25
T
29
T
18
T
22
T
26
T
30
T
19
T
23
T
27
T
31
T
32
T
36
T
40
T
44
T
33
T
37
T
41
T
45
T
34
T
38
T
42
T
46
T
35
T
39
T
43
T
47
ROP
DQS=0
b
SCK
CMD
SIO0
SIO1
0
1
0/1
a
0/1
a
PDEV5..0
b
PDEV5..0
b
DQS=1
b
t
S3
t
S3
t
H3
t
H3
t
CE
a
Use 0 for NAP exit, 1 for PDN exit
b
Device selection timing slot is selected by DQS field of NAPX register
The packet is repeated
from SIO0 to SIO1
restricted
Power
State
DQS=0
b
DQS=1
b
c
Exit to STBY or ATTN depends upon whether RLXR was
asserted at NAP or PDN entry time
t
S4
t
H4
restricted
STBY/ATTN
c
NAP/PDN
(
NAPX)t
SCYCLE
)/(
256PDNXt
SCYCLE
)
t
S4
t
H4
COP
XOP
No ROW packets may
overlap the restricted interval
No COL packets may
overlap the restricted interval
if device PDEV is exiting the
NAP-A or PDN-A states
ROP
COP
XOP
CTM/CFM
CMD
SCK
ROW2
..ROW0
T
0
T
4
T
8
T
12
T
1
T
5
T
9
T
13
T
2
T
6
T
10
T
14
T
3
T
7
T
11
T
15
T
16
T
20
T
17
T
21
T
18
T
22
T
19
T
23
NAPR
CTM/CFM
CMD
SCK
ROW2
..ROW0
T
0
T
4
T
8
T
12
T
1
T
5
T
9
T
13
T
2
T
6
T
10
T
14
T
3
T
7
T
11
T
15
T
16
T
20
T
17
T
2
T
18
T
19
0
1
0
1
t
NU0
no entry
t
NU0
= 5t
CYCLE
+ (2+NAPX)t
SCYCLE
t
NU1
= 8t
CYCLE
- (0.5t
SCYCLE
)
= 23t
CYCLE
PDNR
0
1
0
1
no exit
t
NU1
t
PU0
no entry
no exit
t
PU1
if NSR=1
if NSR=0
t
PU0
= 5t
CYCLE
+ (2+256PDNX)t
SCYCLE
t
PU1
= 8t
CYCLE
- (0.5t
SCYCLE
)
= 23t
CYCLE
if PSR=1
if PSR=0
NAP entry
NAP exit
PDN entry
PDN exit
Figure 47 : NAP and PDN Exit
Figure 48 : NAP Entry Windows (left) and PDN Entry/Exit Windows (right)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S1021CT-G7 | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-G8 | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-GS | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1120D | 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S16230A | 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416RD4D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(D)-RK70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(D)-RK80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(DB)-RCG60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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