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參數(shù)資料
| 型號： | KM416RD4C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Direct Rambus DRAM(Direct Rambus 動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 直接Rambus公司的DRAM（動態(tài)內(nèi)存直接Rambus公司） |
| 文件頁數(shù)： | 52/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 4654K |
| 代理商： | KM416RD4C |
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Page 53
KM416RD4C/KM418RD4C
Direct RDRAM
Revision 0.2 September 1998
TARGET
CMOS - Transmit Timing
Figure Figure is a timing diagram which shows the detailed
requirements for the CMOS output signals. The SIO0 signal
is driven once per t
CYCLE1
interval on the falling edge. The
clock-to-output window is t
Q1,MIN
/t
Q1,MAX.
The SCK and
SIO0 timing points are measured at the 50% level. The rise
and fall times of SIO0 are t
QR1
and t
QF1
, measured at the
20% and 80% levels.
Figure 57 : CMOS Timing - Data Signals for Transmit
V
IH,CMOS
50%
V
IL,CMOS
80%
20%
SCK
SIO0
t
QR1
t
QF1
V
OH,CMOS
50%
V
OL,CMOS
80%
20%
t
Q1,MAX
V
IH,CMOS
50%
V
IL,CMOS
80%
20%
t
Q1,MIN
V
OH,CMOS
50%
V
OL,CMOS
80%
20%
SIO0
or
SIO1
t
DR1
t
DF1
t
QR1
t
QF1
t
PROP1,MAX
t
PROP1,MIN
SIO1
or
SIO0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S1021CT-G7 | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-G8 | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-GS | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1120D | 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S16230A | 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416RD4D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(D)-RK70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(D)-RK80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(DB)-RCG60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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