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參數(shù)資料
| 型號： | KM416RD4C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Direct Rambus DRAM(Direct Rambus 動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 直接Rambus公司的DRAM（動態(tài)內(nèi)存直接Rambus公司） |
| 文件頁數(shù)： | 51/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 4654K |
| 代理商： | KM416RD4C |
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Page 52
KM416RD4C/KM418RD4C
Direct RDRAM
Revision 0.7 September 1998
TARGET
The SCK clock is also used for sampling data on RSL inputs
in one situation. Figure 47 shows the PDN and NAP exit
sequences. If the PSX field of the INIT register is zero (see
Figure 27), then the PDN and NAP exit sequences are broad-
cast; i.e. all RDRAMs that are in PDN or NAP will perform
the exit sequence. If the PSX field of the INIT register is
one, then the PDN and NAP exit sequences are directed; i.e.
only one RDRAM that is in PDN or NAP will perform the
exit sequence.
The address of that RDRAM is specified on the DQA[5:0]
bus in the set hold window t
S3
/t
H3
arouond the rising edge of
SCK. This is shown in Figure Figure. The SCK timing point
is measured at the 50% level, and the DQA[5:0] bus signals
are measured at the V
REF
level.
Figure 50 : CMOS Timing - Device Address for NAP or PDN Exit
V
IH,CMOS
50%
V
IL,CMOS
80%
20%
SCK
V
DIH
V
REF
V
DIL
80%
20%
DQA[5:0]
t
S3
t
H3
PDEV
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S1021CT-G7 | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-G8 | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-GS | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1120D | 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S16230A | 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416RD4D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(D)-RK70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(D)-RK80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD8AC(DB)-RCG60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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